作者:HSF中心 2012-04-25 15:05
法规名称:关于在电子电气设备中限制使用某些有害物质指令
法规简称:RoHS
序号 |
RoHS豁免项目 |
适用范围及期限 |
1 |
单端(紧凑型)荧光灯中的汞含量不超过(每盏): |
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1(a) |
普通照明用<30W:5毫克 |
2011年12月31日到期;2011年12月31日至2012年12月31日执行3.5毫克;2012年12月31日后执行2.5毫克 |
1(b) |
普通照明用≥30W且< 50W:5毫克 |
2011年12月31日到期;2011年12月31日后执行3.5毫克 |
1(c) |
普通照明用≥50W且< 150 W:5毫克 |
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1(d) |
普通照明用≥150 W:15毫克 |
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1(e) |
普通照明用,环状或方形结构,管径 ≤17毫米 |
2011年12月31日前,无使用限制;2011年12月31日后执行7毫克 |
1(f) |
特殊用途:5毫克 |
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2(a) |
普通照明用的双端线型荧光灯中的汞含量不超过(每盏): |
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2(a)(1) |
正常寿命的三基色荧光灯,管径< 9毫米(例如T2):5毫克 |
2011年12月31日到期;2011年12月31日后执行4毫克 |
2(a)(2) |
正常寿命的三基色荧光灯,管径≥9毫米且≤17毫米(例如T5):5毫克 |
2011年12月31日到期;2011年12月31日后执行3毫克 |
2(a)(3) |
正常寿命的三基色荧光灯,管径> 17毫米且≤28毫米(例如T8):5毫克 |
2011年12月31日到期;2011年12月31日后执行3.5毫克 |
2(a)(4) |
正常寿命的三基色荧光灯,管径> 28毫米(例如T12):5毫克 |
2012年12月31日到期;2012年12月31日后执行3.5毫克 |
2(a)(5) |
长寿命(≥2万5千小时)的三基色荧光灯:8毫克 |
2011年12月31日到期;2011年12月31日后执行5毫克 |
2(b) |
其它荧光灯中的汞含量不超过(每盏): |
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2(b)(1) |
管径> 28毫米的线型卤磷酸盐灯(例如T10和T12):10毫克 |
2012年4月13日到期 |
2(b)(2) |
非线型卤磷酸盐灯(各种管径):15毫克 |
2016年4月13日到期 |
2(b)(3) |
管径> 17毫米的非线型三基色荧光灯(例如T9) |
2011年12月31日之前,无使用限制;2011年12月31日后执行15毫克 |
2(b)(4) |
其它普通照明用灯和特殊用灯(例如感应灯) |
2011年12月31日之前,无使用限制;2011年12月31日后执行15毫克 |
3 |
特殊用途的冷阴极荧光灯及外部电极荧光灯(CCFL和EEFL)中的汞含量不超过(每盏): |
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3(a) |
短型(长度≤500毫米) |
2011年12月31日之前,无使用限制;2011年12月31日后执行3.5毫克 |
3(b) |
中型(长度> 500毫米且≤1500毫米) |
2011年12月31日之前,无使用限制;2011年12月31日后执行5毫克 |
3(c) |
长型(长度> 1500毫米) |
2011年12月31日之前,无使用限制;2011年12月31日后执行13毫克 |
4(a) |
其它低压放电灯中的汞(每盏) |
2011年12月31日之前,无使用限制;2011年12月31日后执行15毫克 |
4(b) |
普通照明用的高压钠(蒸气)灯,其显色指数Ra > 60的,其汞含量不超过(每盏): |
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4(b)-Ⅰ |
功率≤155W |
2011年12月31日之前,无使用限制;2011年12月31日后执行30毫克 |
4(b)-Ⅱ |
155W < 功率 ≤405 W |
2011年12月31日之前,无使用限制;2011年12月31日后执行40毫克 |
4(b)-Ⅲ |
功率> 405 W |
2011年12月31日前,无使用限制;2011年12月31日后执行40毫克 |
4(c) |
其它普通照明用的高压钠(蒸汽)灯中的汞含量不超过(每盏): |
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4(c)-Ⅰ |
功率≤155 W |
2011年12月31日前,无使用限制;2011年12月31日后执行25毫克 |
4(c)-Ⅱ |
155 W < 功率 ≤405 W |
2011年12月31日前,无使用限制;2011年12月31日后执行30毫克 |
4(c)-Ⅲ |
功率> 405 W |
2011年12月31日前,无使用限制;2011年12月31后执行40毫克 |
4(d) |
高压汞(蒸汽)灯(HPMV)中的汞 |
2015年4月13日到期 |
4(e) |
金属卤化物灯(MH)中的汞 |
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4(f) |
本附录中未提及的,其它特殊用途的放电灯中的汞 |
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5(a) |
阴极射线管的玻璃中的铅 |
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5(b) |
荧光管的玻璃中的铅含量不超过0.2%. |
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6(a) |
铅作为合金元素,在加工用途的钢和镀锌钢中的含量不超过0.35% |
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6(b) |
铝合金中的铅含量不超过0.4% |
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6(c) |
铜合金中的铅含量不超4% |
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7(a) |
高熔点型焊料中的铅(也就是铅基合金,其铅含量超过85%) |
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7(b) |
用于服务器、存储器和存储阵列系统中的焊料中的铅,用于为交换、信号发送、传输的网络基础设备中及电信网络管理设施中的焊料中的铅。 |
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7(c)-Ⅰ |
除介电陶瓷电容器外,其它电子电气元件中玻璃或陶瓷中的铅(例如压电电子装置),或玻璃或陶瓷复合材料中的铅 |
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7(c)-Ⅱ |
额定电压不低于交流电125伏特或直流电250伏特的介电陶瓷电容器中的铅 |
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7(c)-Ⅲ |
额定电压小于交流电125伏特或直流电250伏特的介电陶瓷电容器中的铅 |
2013年1月1日到期,之后可用于在2013年1月1日前投放市场的电子电气设备的备用部件。 |
7(c)-IV |
以锆钛酸铅(PZT)为基础的介电陶瓷介电陶瓷材料的电容器的铅,该电容器为集成电路或分立半导体的组成部分 |
豁免至2016年7月21日 |
8(a) |
单触球型热熔断器中的镉及镉的化合物 |
2012年1月1日到期,之后可用于在2012年1月1日前投放市场的电子电气设备的备用部件。 |
8(b) |
电触点中的镉及镉的化合物 |
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9 |
六价铬用于吸收式电冰箱中碳钢冷却系统中的防腐剂,其重量不超过冷却液的0.75%。 |
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9(b) |
用于冷暖空调设备(HVACR)的制冷压缩机中的轴承壳及衬套中的铅 |
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11(a) |
C-press顺应针连接器系统中的铅 |
可用在2010年9月24日之前投放市场的电子电气设备的备用部件中 |
11(b) |
除C-press之外的顺应针连接器系统中的铅 |
2013年1月1日到期,之后可用于在2013年1月1日前投放市场的电子电气设备的备用部件。 |
12 |
热导模组C-ring涂层中的铅 |
可用于在2010年9月24日前投放市场的电子电气设备的备用部件。 |
13(a) |
光学应用的白色玻璃中的铅 |
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13(b) |
滤光玻璃及用于当做反射率标准片的玻璃中的镉和铅 |
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14 |
微处理器的针脚与封装体连接所使用的铅含量占80%~85%的含两种以上元素的焊料中的铅 |
2011年1月1日到期;之后可用于在2011年1月1日前投放市场的电子电气设备的备用部件。 |
15 |
集成电路倒装芯片封装中半导体芯片及载体之间形成可靠连接所用焊料中的铅 |
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16 |
具有硅酸盐涂层灯管的线型白炽灯中的铅 |
2013年9月1日到期 |
17 |
用于专业复印设备的高强度放电灯(HID)中,作为发光剂的卤化铅 |
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18(a) |
特殊用途的放电灯,例如用于重氮复印,平版印刷,捕虫器,光化学和食物加工过程中,其中含磷,例如SMS ((Sr,Ba)2MgSi2O7:Pb),则放电灯中的荧光粉,其铅作为触媒剂,占其重量的1%或以下。 |
2011年1月1日到期 |
18(b) |
放电灯,用于仿日晒灯,其中含有磷,如BSP(BaSi2O5:Pb),则放电灯中的荧光粉,其铅作为触媒剂,铅含量占重量的1%或以下。 |
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19 |
紧凑型节能灯(ESL)中,作为主要汞齐的特定成份,如PbBiSn-Hg和PbInSn-Hg以及作为辅助汞齐,如PbSn-Hg中的铅。 |
2011年6月1日到期 |
20 |
液晶显示器(LCDs)中用于连接平板荧光灯前后基片的玻璃中的氧化铅。 |
2011年6月1日到期 |
21 |
应用于如硼硅酸盐玻璃及碱石灰玻璃瓷釉的印刷油墨中的铅和镉。 |
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23 |
在细距零部件的表面处理中的铅,但不包括螺距在0.65毫米及以下的连接器。 |
可用于在2010年9月24日前投放市场的电子电气设备的备用部件。 |
24 |
通孔盘状和平面阵列陶瓷多层电容器的焊料中的铅。 |
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25 |
用于结构部件的表面传导式电子发射显示器(SED)中的氧化铅,特别是密封玻璃料和玻璃环中。 |
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26 |
蓝黑灯管的玻璃外罩中的氧化铅 |
2011年6月1日到期 |
27 |
用作大功率扬声器(用在长时间操作125分贝以上的音响系统)的传感器中的焊料的铅合金。 |
2010年9月24日到期 |
29 |
69/493/EEC指令中附录I中(第1,2,3,4类)定义的水晶玻璃中的铅。 |
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30 |
声压在100分贝以上的大功率扬声器中,与音圈转换器连接电导体之电机/机械焊料中的镉合金。 |
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31 |
无汞平板荧光灯(例如用于液晶显示器、设计或工业照明)中的焊料材料中的铅。 |
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32 |
氩及氪雷射管中,使用于窗口结构的密封玻璃中的氧化铅。 |
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33 |
用于焊接电力变压器中直径100微米及以下细铜线所用焊料中的铅。 |
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34 |
金属陶瓷质微调电位器中的铅。 |
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36 |
直流等离子显示器中,阴极溅射抑制剂中的汞,其含量不得超过30毫克/显示器。 |
2010年7月1日到期 |
37 |
以硼酸锌玻璃体为基体的高压二极管的电镀层中的铅。 |
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38 |
用氧化铍连接铝制成的厚膜浆料中的镉和氧化镉。 |
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39 |
用于固态照明或显示系统中的彩色转换II-VI族发光二极管(每平方毫米发光区域的镉含量小于10微克)内所含的镉。 |
2014年7月1日到期 |
40 |
专业的声频设备中使用的模拟光耦合器中的光敏电阻器中的镉 |
豁免至2013年12月31日 |
注:2012年12月18日,欧盟委员会在官方公报上发布2012/50/EU和2011/251/EU两个指令,对RoHS 2.0 附件III下的2项豁免清单的修订法案进行正式公布,新豁免条款自在欧盟发布之日20日后生效。
·2012/50/EU指令在RoHS2.0指令附件III下修订新增7(c)-IV条
·2012/51/EU指令在RoHS2.0指令附件III下修订新增第40条
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